北京大学团队成功开发无硅2D GAAFET晶体管技术
北京大学彭海林教授和邱晨光教授团队开发了世界上第一个2D GAAFET晶体管技术，发表在Nature Materials的论文描述此项技术比台积电3 nm N3节点性能提高了40%，能效提高了10%。该团队创新利用铋氧硒化物（Bi2O2Se）设计了全新的GAAFET晶体管架构，增加了栅极和通道之间的接触面积，使电子更自由地流动；而这种材料的高绝缘性也显著降低了电压，提升计算能力与能耗。
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